Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2347DS-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2347DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2347DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB356.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB381.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 4,850 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB7.123	THB356.15
750 - 1450	THB6.999	THB349.95
1500 +	THB6.87	THB343.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2347DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.1W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Width	2.64 mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.1W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Width 2.64 mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 42mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power rating of 1.7W and continuous drain current of 5A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converter

• Load switch

• Notebook adaptor switch

• Power management

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested