Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2392ADS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB324.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB347.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,380 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB16.234	THB324.68
760 - 1480	THB15.827	THB316.54
1500 +	THB15.584	THB311.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2392ADS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	189mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.64 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 189mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.64 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 126mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 3.1A and maximum power dissipation of 2.5W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Boost converters

• DC/DC converters

• LED backlighting in LCD TVs

• Load switch

• Power management for mobile computing

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested