Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 180-7269
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2301CDS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,767.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,730.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB4.589	THB13,767.00
6000 - 9000	THB4.451	THB13,353.00
12000 +	THB4.317	THB12,951.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7269
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2301CDS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	112mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.64 mm
	Length	3.04mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 112mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.64 mm
	Length 3.04mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 8V. It has drain-source resistance of 112mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain current of 3.1A and maximum power dissipation of 1.6W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 2.5V and 4.5V respectively. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง