Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB57,390.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB61,410.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 15,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB19.13THB57,390.00
6000 - 9000THB18.556THB55,668.00
12000 +THB17.999THB53,997.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-7181
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2337DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-50°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง