Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
228-2813
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
Si2387DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง