Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 165-6934
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2365EDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,820.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,450.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 54,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.94 | THB8,820.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.852 | THB8,556.00 |
| 12000 + | THB2.766 | THB8,298.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6934
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2365EDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0675Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0675Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23