P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3139
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2365EDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 50)

THB5.491

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

62600 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
50 - 700	THB5.491	THB274.55
750 - 1450	THB5.354	THB267.70
1500 +	THB5.272	THB263.60

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3139
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2365EDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4.7 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	67.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	1.7 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Length	3.04mm
Number of Elements per Chip	1
Width	1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	23.8 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Height	1.02mm

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง