Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRFML8244TRPBF

RS Stock No.:: 737-7219
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-306
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFML8244TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRFML8244TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB155.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB166.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 54,100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB7.79	THB155.80
760 - 1480	THB7.596	THB151.92
1500 +	THB7.479	THB149.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 737-7219
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-306
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFML8244TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SOT-23
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.4nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SOT-23
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 25V Maximum Drain Source Voltage, 5.8A Maximum Continuous Drain Current - IRFML8244TRPBF

This MOSFET is a compact N-channel enhancement device designed for surface-mount power switching and signal-level control in compact electronic assemblies. It operates over a wide temperature span suitable for demanding environments and is intended for use where low conduction losses and modest power handling are required. The package supports three-pin SOT-23 mounting for space-constrained board layouts.

Features and Benefits:

• Low on-resistance 41mΩ reduces conduction losses
• Continuous drain current 5.8A supports higher load currents
• Drain-source voltage 25V enables medium-voltage switching
• Typical gate charge 5.4nC allows fast gate transitions
• Forward voltage 1.2V minimises voltage drop under load
• Maximum power dissipation 1.25W manages thermal budget

Applications

• Suitable for compact DC-DC step-down converters
• Ideal for portable power-management modules
• Used with motor drivers for small actuator control
• Can be used for battery protection and charging circuits
• Suitable for high-density consumer electronics boards

What are the thermal limits for operation?

The device is rated to function between -55°C and 150°C, enabling operation across low-temperature starts and elevated ambient conditions.

What gate voltage extremes should be avoided?

Gate-source voltage must not exceed 20V to prevent device stress or damage.

How many pins and what mounting style does it use?

It is supplied as a three-pin component intended for surface-mount assembly in a SOT-23 footprint.

What conduction and switching trade-offs does it present?

The combination of 41mΩ on-resistance and 5.4nC gate charge balances low conduction losses with moderate gate-drive requirements for efficient switching.