Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,104.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,022.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
3000 - 3000THB4.368THB13,104.00-
6000 - 9000THB4.237THB12,711.002%
12000 +THB4.11THB12,330.005%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
913-4073
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLML6344TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

37mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12V, +12V

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Width

1.4mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 5A Maximum Continuous Drain Current, 30V Maximum Drain Source Voltage - IRLML6344TRPBF


This MOSFET is a high-performance N-channel surface mount device suitable for various applications in the electronics and automation sectors. Designed with a compact SOT-23 package, it measures 3.04mm in length, 1.4mm in width, and 1.02mm in height. It exhibits excellent thermal performance, with an operating temperature range of -55°C to +150°C.

Features & Benefits


• Offers a continuous drain current of 5A for robust performance

• Maximum drain-source voltage of 30V supports various requirements

• Low RDS(on) of 29mΩ at VGS = 4.5V reduces power losses

• Wide gate threshold voltage range enables flexible operation

• Efficient power dissipation capability of 1.3W enhances reliability

Applications


• Ideal for microcontroller load switching in electronic systems

• Used in power management solutions for automotive

• Effective in DC-DC converters for efficient energy conversion

• Suitable for battery management systems to improve performance

• Effective in motor control circuits for automation tasks

What is the significance of the low RDS(on) value?


The low RDS(on) value indicates lower conduction losses, which translates to better efficiency, especially in high-current applications. This characteristic is essential for reducing heat generation in power electronics.

What voltage range can be applied to the gate-source junction?


The maximum gate-source voltage is ±12V, allowing flexibility in driving conditions while ensuring device integrity within rated limits.

How does the device perform under high temperatures?


With a maximum operating temperature of +150°C, the MOSFET is built to withstand harsh environments, ensuring reliable functionality in demanding applications.

What benefits does the surface mount design provide?


The SOT-23 surface mount design allows for compact circuit layouts and enhances thermal management, making it ideal for modern electronic assemblies.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง