Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 165-7766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6246TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB10,560.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,310.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.52	THB10,560.00
6000 - 9000	THB3.414	THB10,242.00
12000 +	THB3.312	THB9,936.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-7766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6246TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	66mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 66mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 4.1A Maximum Continuous Drain Current - IRLML6246TRPBF

This MOSFET is a compact N‑channel enhancement device designed for low-voltage switching in surface-mount assemblies. It operates across a wide temperature range and accepts gate-drive levels compatible with common control circuits. The package and electrical characteristics make it appropriate for space‑constrained boards requiring efficient switching performance without elevated power‑handling requirements.

Features and Benefits:

• Maximum drain-source voltage 20V enables low-voltage switching applications
• Continuous drain current 4.1A supports moderate load currents
• Low on‑resistance 66 mΩ minimises conduction losses
• Typical gate charge 3.5 nC allows faster switching transitions
• Maximum power dissipation 1.3W suits constrained thermal budgets
• Gate-source tolerance up to 12V permits robust drive margins

Applications

• Suitable for battery-management switching in portable systems
• Ideal for load switching in power-distribution modules
• Used with gate drivers in motor-control low-voltage stages
• Can be used for DC-DC converter synchronous switching
• Suitable for signal-level high-speed switching in control circuits

What thermal extremes can this device tolerate in operation?

It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, allowing use in environments with wide temperature fluctuations.

How does the package influence PCB layout and assembly?

The SOT‑23 surface‑mount format with three pins reduces board area and supports automated pick‑and‑place and reflow processes.

What is the expected behaviour under higher gate voltages?

The device limits gate‑source ratings to 12V maximum, so gate drives should remain within this threshold to prevent gate‑oxide stress.

How does the device perform under continuous load?

Continuous drain current is rated at 4.1A while thermal dissipation is constrained to 1.3 W, so adequate copper area or heatsinking is required to maintain safe junction temperatures.