Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB12,573.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,452.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB4.191THB12,573.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
913-4054
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLML0100TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 1.6A Maximum Continuous Drain Current - IRLML0100TRPBF


This MOSFET is a surface-mount N-channel enhancement transistor designed for switching and power-control tasks in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature span and is intended for low-to-moderate current applications where a balance of voltage capability and small footprint is required.

Features and Benefits:


• 100V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 1.6A continuous drain current supports moderate load currents
• 235mΩ RDS(on) reduces conduction losses during operation
• 2.5nC typical gate charge ensures efficient switching performance
• 1.3W maximum power dissipation allows sustained thermal load handling
• 16V gate-source tolerance provides margin for gate drive voltages

Applications


• Suitable for DC-DC converter switching stages
• Ideal for battery management and power distribution
• Used with motor-control driver circuits in low-power systems
• Can be used for LED driver switching elements
• Suitable for general-purpose switching in compact devices

What environmental temperature range can it withstand during operation?


It is rated to operate from -55°C up to 150°C, covering demanding thermal conditions.

What mounting and package considerations should designers plan for?


It comes in a SOT-23 surface-mount package, allowing automated assembly and dense PCB placement.

How does its forward voltage affect switching in rectifier or synchronous applications?


The device exhibits a forward voltage of 1.3V which influences conduction drop when used as a switching transistor in low-voltage circuits.

What pin count and gate-drive implications must be considered?


With three pins, standard gate, drain and source connections apply and a gate drive below the 16V rating should be used to avoid overstress.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง