Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB12,360.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,230.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 9,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 10 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB4.12THB12,360.00
6000 - 9000THB3.996THB11,988.00
12000 +THB3.877THB11,631.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
913-4042
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLML0030TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.6nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 27mΩ Maximum Drain Source Resistance - IRLML0030TRPBF


This MOSFET is a compact N-channel switching transistor designed for surface-mount power control in compact electronic assemblies. It operates as an enhancement-mode device suitable for low-voltage switching and power-management tasks across a wide temperature span, enabling reliable performance in demanding thermal environments.

Features and Benefits:


• Low on-resistance gives efficient conduction and reduced losses
• 30V drain-source rating permits safe low-voltage switching
• 5.3A continuous drain current supports moderate load currents
• Typical gate charge 2.6nC enables fast, low-energy switching
• Maximum power dissipation 1.3W allows small-signal power handling
• Gate-source tolerance ±20V offers robust drive margin

Applications


• Suitable for battery-powered DC load switching
• Ideal for point-of-load converters in compact electronics
• Used for motor driver stages with modest currents
• Can be used for protection and load-disconnect circuits
• Used with logic-level gate drivers in control boards

What thermal range can it withstand in harsh environments?


It is specified to operate from -55°C up to 150°C, covering typical industrial and extended-temperature use cases.

What package and mounting method does it require for assembly?


It is supplied in an SOT-23 package and is intended for surface-mount assembly processes.

How does its gate-charge value affect drive requirements?


A gate charge of 2.6nC reduces energy needed per switching transition, lowering driver current and switching losses in high-frequency applications.

What are the electrical limits for safe operation of the channel?


The device’s maximum drain-source voltage is 30V and the maximum drain-source resistance is 27mΩ, defining its voltage tolerance and conduction efficiency.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง