Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB9,651.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,326.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB3.217THB9,651.00
6000 - 9000THB3.12THB9,360.00
12000 +THB3.027THB9,081.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4735
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLML2803TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

540mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon HEXFET Series MOSFET, 1.2A Maximum Continuous Drain Current, 540 mW Maximum Power Dissipation - IRLML2803TRPBF


This N-channel MOSFET delivers enhanced performance and reliability for a range of electronic applications. Designed with Hexfet technology, it operates efficiently in surface mount configurations, making it suitable for compact designs in the automation and electrical sectors. The combination of low RDS(on) and a high continuous drain current supports optimal power management in various conditions.

Features & Benefits


• Supports a maximum continuous drain current of 1.2A for effective performance

• High maximum drain-source voltage of 30V allows for versatile usage

• Low maximum drain-source resistance of 250mΩ minimises power losses

• Enhancement mode operation enables efficient switching capabilities

• Compact SOT-23 package is ideal for space-constrained applications

• Operates at high temperatures, with a maximum operating temperature of +150°C

Applications


• Utilised in DC-DC converters for effective energy management

• Employed in motor control circuits for improved precision

• Suitable for power supply switching in consumer electronics

• Integrated into automation systems for efficient load management

What is the optimal gate voltage for operation?


The optimal gate voltage for this device is +10V, allowing for efficient switching and performance.

How does it perform in high temperatures?


This component can function at temperatures up to +150°C, ensuring reliability in thermal conditions.

Can it handle pulsed drain currents?


Yes, it supports pulsed drain currents significantly above continuous ratings, accommodating short current surges.

What mounting type is recommended for this device?


Surface mount is the recommended type, as it provides better thermal performance and space efficiency in circuit designs.

What precautions should be taken during installation?


Proper thermal management and adherence to maximum ratings are necessary to prevent damage during operation.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง