Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 919-4735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2803TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB9,960.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,650.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.32 | THB9,960.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB3.22 | THB9,660.00 | 3% |
| 12000 + | THB3.124 | THB9,372.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-4735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2803TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 540mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 540mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4mm | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 1.2A Maximum Continuous Drain Current, 540 mW Maximum Power Dissipation - IRLML2803TRPBF
Features & Benefits
Applications
What is the optimal gate voltage for operation?
How does it perform in high temperatures?
Can it handle pulsed drain currents?
What mounting type is recommended for this device?
What precautions should be taken during installation?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2060TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
