Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 165-7763
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML2030TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB8,493.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,087.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB2.831	THB8,493.00
6000 - 9000	THB2.746	THB8,238.00
12000 +	THB2.664	THB7,992.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-7763
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML2030TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Width	1.4 mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Width 1.4 mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง