Vishay IRFU9310 Type P-Channel Power MOSFET, -1.8 A, -400 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9310PBF
- RS Stock No.:
- 542-9967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU9310PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB48.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB51.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 66 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 13,511 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 18 | THB48.11 |
| 19 - 37 | THB46.90 |
| 38 + | THB46.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 542-9967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU9310PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -400V | |
| Series | IRFU9310 | |
| Package Type | IPAK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.38mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -400V | ||
Series IRFU9310 | ||
Package Type IPAK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.38mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFU9310 Series Power MOSFET, -400V Maximum Drain Source Voltage, -1.8A Maximum Continuous Drain Current - IRFU9310PBF
This power MOSFET is a P-channel switching device designed for high-voltage applications in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor suitable for through-hole mounting and is intended for circuits requiring negative-polarity switching with moderate current and high blocking voltage.
Features and Benefits:
• Rated for -400V drain-source voltage enabling high-voltage switching
• Maximum continuous drain current -1.8 A supporting moderate-load operation
• Maximum power dissipation 50W allowing robust thermal handling
• Typical gate charge 13 nC reducing switching losses
• Maximum gate-source voltage 20V offering safe gate-drive margin
• Operating range -55 °C to 150 °C permitting wide temperature environments
• Maximum continuous drain current -1.8 A supporting moderate-load operation
• Maximum power dissipation 50W allowing robust thermal handling
• Typical gate charge 13 nC reducing switching losses
• Maximum gate-source voltage 20V offering safe gate-drive margin
• Operating range -55 °C to 150 °C permitting wide temperature environments
Applications
• Suitable for high-voltage polarity-reversal circuits in power supplies
• Ideal for load switching in industrial automation panels
• Used for discrete-stage switching in motor control electronics
• Can be used for negative-side switching in power distribution modules
• Ideal for load switching in industrial automation panels
• Used for discrete-stage switching in motor control electronics
• Can be used for negative-side switching in power distribution modules
What package style does it use for prototyping and assembly?
The device is supplied in an IPAK through-hole package with three pins for hand-soldering or wave-solder processes.
How does the on-resistance affect thermal performance?
The maximum drain-source resistance of 7 Ω increases conduction losses at higher currents, which requires adequate heatsinking to maintain junction temperature within limits.
What environmental limits govern continuous operation?
It can be operated down to -55 °C and up to 150 °C, so thermal management and ambient conditions must be considered for reliable long-term use.
Is it suitable for automotive-grade systems?
The component is not specified to automotive standards
its approvals list RoHS only.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFU Type P-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) IRFU110PBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 400 V
