DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SM
- RS Stock No.:
- 922-7888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMHC6A07T8TA
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,784.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB46,387.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49,634.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB46.387 | THB46,387.00 | - |
| 2000 - 3000 | THB44.995 | THB44,995.00 | THB2,784.00 |
| 4000 + | THB43.646 | THB43,646.00 | THB10,964.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 922-7888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMHC6A07T8TA
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 425mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 850mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Transistor Configuration | Full Bridge | |
| Width | 3.7mm | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 425mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 850mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Transistor Configuration Full Bridge | ||
Width 3.7mm | ||
Standards/Approvals J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.6mm | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin ZXMHC6A07T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin ZXMHC3A01T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 4.98 A 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 850 mA 8-Pin SOIC ZXMHC10A07N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 7.8 A 8-Pin SOIC DMHC3025LSD-13
- onsemi Isolated 2 Type N 3.9 A 8-Pin SOIC SI4532DY