DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 169-0719
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ZXMHC6A07N8TC
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB54,132.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57,922.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB21.653	THB54,132.50
5000 - 7500	THB21.003	THB52,507.50
10000 +	THB20.373	THB50,932.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 169-0719
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ZXMHC6A07N8TC
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N, Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.36W
	Transistor Configuration	Full Bridge
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	4
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N, Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.36W
	Transistor Configuration Full Bridge
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 4
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex Full Bridge 4 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง