Vishay IRFL9014 Type P-Channel Power MOSFET, -1.8 A, -60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 919-0824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL9014TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB36,742.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB39,315.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB14.697 | THB36,742.50 |
| 5000 - 7500 | THB14.256 | THB35,640.00 |
| 10000 + | THB13.828 | THB34,570.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-0824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFL9014TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | IRFL9014 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | -5.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.45mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series IRFL9014 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf -5.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.45mm | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Vishay IRFL9014 Series Power MOSFET, -60V Drain Source Voltage, 500mΩ Drain Source Resistance - IRFL9014TRPBF
This power MOSFET is a P‑channel enhancement device designed for surface‑mount power switching in electronic and electromechanical systems. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring controlled high‑side switching and thermal robustness in Compact SOT‑223 packaging.
Features and Benefits:
• P‑channel configuration enables simplified high‑side switching
• Rated for -60V drain‑to‑source withstand for robust voltage margins
• Continuous drain current of -1.8A supports moderate load currents
• Low on‑resistance of 500mΩ reduces conduction losses
• Typical gate charge of 12nC yields predictable switching behaviour
• Power dissipation of 3.1W allows sustained operation in constrained enclosures
• Rated for -60V drain‑to‑source withstand for robust voltage margins
• Continuous drain current of -1.8A supports moderate load currents
• Low on‑resistance of 500mΩ reduces conduction losses
• Typical gate charge of 12nC yields predictable switching behaviour
• Power dissipation of 3.1W allows sustained operation in constrained enclosures
Applications
• Suitable for high‑side load switching in automation control modules
• Ideal for battery management and power path control circuits
• Used for motor driver gate networks in Compact assemblies
• Can be used for polarity protection and reverse current prevention
• Ideal for battery management and power path control circuits
• Used for motor driver gate networks in Compact assemblies
• Can be used for polarity protection and reverse current prevention
What gate voltage range is permissible for control circuitry?
The gate‑to‑source can be driven up to 20V, allowing compatibility with a range of controller output levels.
How does the thermal environment affect operational limits?
The device is specified to function from -55°C up to 150°C, so thermal design should ensure junction temperatures remain within this range for reliable operation.
What mounting considerations apply for Compact board designs?
It is supplied in a SOT‑223 surface‑mount package with four pins, enabling straightforward PCB soldering and heat transfer to the board copper.
What electrical robustness should designers expect under switching conditions?
The specified forward voltage of -5.5V and typical gate charge of 12nC inform designers about driving requirements and switching transients for reliable gate control.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFL9014 Type P-Channel Power MOSFET -60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL9014TRPBF
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin ZXMHC6A07T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC ZXMHC6A07N8TC
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1
- Vishay IRFL Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
