Vishay IRFU9310 Type P-Channel Power MOSFET, -1.8 A, -400 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9310PBF

RS Stock No.:: 919-4505
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU9310PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFU9310 Type P-Channel Power MOSFET, -1.8 A, -400 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9310PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,238.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,394.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 13,275 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB29.84	THB2,238.00
150 - 225	THB29.191	THB2,189.33
300 +	THB28.543	THB2,140.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4505
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU9310PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-400V
	Package Type	IPAK
	Series	IRFU9310
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	2.38mm
	Length	6.73mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -400V
	Package Type IPAK
	Series IRFU9310
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 2.38mm
	Length 6.73mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Vishay IRFU9310 Series Power MOSFET, -400V Maximum Drain Source Voltage, 50W Maximum Power Dissipation - IRFU9310PBF

This power MOSFET is a P-channel enhancement transistor designed for high-voltage switching applications where through-hole mounting is required. It operates over a wide temperature range and is RoHS-compliant, offering a compact IPAK package suited to circuits needing low continuous currents and robust voltage handling without surface-mount assembly.

Features and Benefits:

• Rated for -400V drain-source voltage enabling high-voltage switching
• Maximum continuous drain current of -1.8A supporting low-current loads
• Maximum dissipation 50W allowing higher power handling in thermal designs
• Drain-source resistance 7Ω reducing conduction losses at low currents
• Gate charge 13nC at 20V Vgs permitting predictable switching performance
• Operates from -55°C to 150°C for elevated temperature environments

Applications

• Suitable for high-voltage reverse-polarity protection circuits
• Ideal for valve or actuator control in industrial systems
• Used with discrete switching stages in power supplies
• Can be used for telecom line protection in legacy equipment
• Used for low-current load switching in instrumentation

What package type will I mount on a PCB for prototyping?

It is supplied in an IPAK through-hole package with three pins for conventional soldering and prototyping on drilled boards.

How should thermal limits guide heatsinking in designs?

The device’s 50W maximum dissipation requires a suitable heatsink or thermal path when switching near rated current or in elevated ambient temperatures to avoid exceeding junction limits.

What gate drive considerations are necessary for switching?

Expect a typical gate charge of 13nC at 20V Vgs

design gate drivers to supply sufficient charge quickly to meet desired switching speeds while managing gate-source voltage within ±20V.

Is it suitable for automotive electronics?

It is not specified as automotive grade

evaluate system requirements and environmental qualifications before use in vehicle applications.