Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin TO-252 IRFR9310PBF

RS Stock No.:: 180-8348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9310PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin TO-252 IRFR9310PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,769.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,893.225

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,275 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB23.592	THB1,769.40
150 - 225	THB22.884	THB1,716.30
300 +	THB22.197	THB1,664.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9310PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface, Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS-compliant
	Length	9.65mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface, Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS-compliant
	Length 9.65mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 1.8A Maximum Continuous Drain Current - IRFR9310PBF

This MOSFET is a P-channel power transistor designed for high-voltage switching and control tasks in industrial electronic systems. It is intended for surface-mount or through-hole mounting and offers a single-element transistor configuration suitable for discrete power stages. The device operates across a wide temperature range and is rated for moderate continuous current, making it applicable where Compact high-voltage switching is required.

Features and Benefits:

• 400V drain-to-source capability enabling high-voltage applications
• 7Ω on-resistance for predictable conduction losses
• 1.8A continuous current supporting moderate load currents
• 50W power dissipation for substantial thermal handling
• 13nC typical gate charge for manageable switching control
• 20V maximum gate drive allowing flexible gate-drive design

Applications

• Suitable for high-voltage power switching in industrial automation
• Ideal for P-channel load switching in power-supply topologies
• Used for discrete transistor stages in motor-control electronics
• Can be used for protection and isolation circuits in electrical systems

What package styles are available for PCB mounting or prototyping?

The device is supplied in a TO-252 package and supports both surface-mount and through-hole assembly options to suit different board layouts and prototyping needs.

How does thermal performance affect installation choices?

With a maximum junction temperature of 150°C and 50W dissipation rating, adequate thermal management such as heatsinking or copper area should be included to maintain safe operating temperatures under sustained loads.

What gate-drive limits must be observed when designing control circuitry?

The gate-source voltage must not exceed 20V, so gate drivers and level-shifting circuitry should be specified to remain within this threshold.

Are there environmental or regulatory considerations for use in assemblies?

The component is RoHS-compliant, permitting its use in assemblies where restricted substance directives apply.