Vishay IRF840S Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 178-0872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF840SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,658.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,844.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB53.163 | THB2,658.15 |
| 100 - 150 | THB52.007 | THB2,600.35 |
| 200 + | THB50.851 | THB2,542.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF840SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IRF840S | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IRF840S | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF840S Series Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 8A Maximum Continuous Drain Current - IRF840SPBF
This power MOSFET is a surface-mount N-channel device designed for switching and high-voltage applications in industrial electronics. It offers a high drain-source voltage rating and is intended for use where robust power handling and elevated temperature tolerance are required. The device suits assembly on modern boards and systems within automation and electrical equipment.
Features and Benefits:
• 500V drain-source rating enabling high-voltage switching capability • 8A continuous drain current supporting moderate current loads • 850mΩ Rds(on) minimises conduction losses in low-duty circuits • 63nC typical gate charge facilitating predictable drive requirements • 125W power dissipation allowing substantial heat handling at rated conditions • 20V maximum gate-source voltage protecting against excessive drive voltage
Applications
• Suitable for industrial motor drive front-ends requiring high voltage switching • Ideal for switch-mode power supplies handling elevated line voltages • Used for electronic ballast and lighting control in commercial installations • Can be used for power conversion stages in automation controllers • Used with thermal management systems where elevated junction temperature is expected
What mounting style does the device require on a PCB?
It is supplied in a TO-263 surface-mount package requiring a heatsink-capable PCB footprint and soldering for thermal conduction.
What temperature range can it operate within for harsh environments?
The component is specified to function down to -55°C and up to 150°C, supporting high-temperature applications.
How many electrical connections are present for circuit integration?
It has three pins for gate, drain and source connections suitable for standard MOSFET control schemes.
Is it suitable as a direct automotive-grade replacement?
Although not specified to automotive standards, its electrical ratings may match some replacement needs where automotive approvals are not mandatory.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF840S Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF840SPBF
- Vishay IRF840A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840APBF
- Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF
- Vishay IRF840A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF830ASPBF
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
