Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3

RS Stock No.:: 279-9924
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP074N65E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB255.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB273.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB255.19
10 - 24	THB250.15
25 - 99	THB245.12
100 +	THB240.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9924
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP074N65E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SIHP
	Package Type	TO-220AB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.078Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SIHP
	Package Type TO-220AB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.078Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP074N65E-GE3

Vishay SIHP Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 35A Maximum Continuous Drain Current - SIHP074N65E-GE3

This n-channel enhancement MOSFET is designed to switch and control high-voltage, high-current circuits in industrial and electronic systems. Suited to through-hole mounting, it provides a Compact power‑semiconductor solution for discrete power stages where robust voltage handling and thermal endurance are required. The device operates across a wide ambient range and is intended for use in applications demanding elevated operating temperatures and substantial continuous current capability.

Features and Benefits:

• 650V drain voltage enables high-voltage switching applications
• 35A continuous current supports significant power delivery
• 0.078Ω on-resistance minimises conduction losses
• 250W power dissipation facilitates higher load handling
• 8nC typical gate charge allows Faster switching response
• 30V gate tolerance protects gate from common drive levels

Applications

• Suitable for high-voltage motor drive front-ends
• Ideal for switch-mode power supplies in industrial equipment
• Used for inverter stages in power conversion systems
• Can be used for electronic load switches in automation panels
• Suitable for surge suppressors and snubber network implementations

What mounting method does it require for PCB integration?

It is supplied in a through‑hole TO‑220AB package permitting secure mechanical attachment and efficient heatsinking to a chassis or heatsink plate.

How does it perform in elevated-temperature environments?

It is rated for operation up to 150°C which supports thermal margins in densely packed power assemblies.

What is the typical gate drive demand for switching design?

Expect a typical gate charge of 8nC at standard gate‑drive levels, informing gate‑driver current and switching‑energy calculations.

What environmental or regulatory standard applies to its materials?

The device meets RoHS requirements regarding restricted substances in component materials.