Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SiHP080N60E-GE3

RS Stock No.:: 228-2875
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHP080N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SiHP080N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB274.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB293.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

698 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB137.21	THB274.42
10 - 18	THB133.785	THB267.57
20 - 24	THB130.445	THB260.89
26 - 98	THB127.185	THB254.37
100 +	THB124.01	THB248.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2875
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHP080N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220AB
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	227W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220AB
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 227W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 35A Continuous Drain Current - SiHP080N60E-GE3

This power MOSFET is a high-voltage, N-channel switching transistor intended for through-hole power applications where robust thermal and electrical performance are required. It operates across a wide ambient range, supports switching duties with moderate gate charge, and mounts in a TO-220AB package for straightforward heatsinking and assembly on conventional boards.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching applications
• 35A continuous current capability supports substantial load currents
• 80mΩ Rds(on) minimises conduction losses during power transfer
• 227W maximum dissipation allows sustained power handling
• 42nC typical gate charge yields predictable switching energy
• ±30V gate tolerance permits wide drive voltage margins

Applications

• Suitable for mains-derived SMPS and PFC circuits
• Ideal for industrial motor drive inverter stages
• Used with high-voltage DC-DC converters in telecoms
• Can be used for switch-mode lighting and ballast systems
• Employed in battery-charging and energy-storage converters

What thermal range can the device tolerate in harsh environments?

It is rated to function from -55°C up to 150°C, permitting operation across industrial temperature extremes.

How is the device intended to be mounted and cooled?

The TO-220AB through-hole format accommodates direct heatsink attachment for effective thermal management and board-mounted power designs.

What gate drive limits should be observed during design?

Gate-source voltage must not exceed ±30V to avoid gate-oxide stress and ensure reliable switching.

Does the component suit low-voltage signal switching tasks?

Its 1.2V forward voltage and power-focused construction make it optimised for high-voltage power conversion rather than low-voltage signal switching.