Vishay E Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG080N60E-GE3

RS Stock No.:: 228-2864
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHG080N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG080N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB311.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB333.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

438 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB155.61	THB311.22
10 - 24	THB151.725	THB303.45
26 - 98	THB147.93	THB295.86
100 - 498	THB144.23	THB288.46
500 +	THB140.62	THB281.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Power Dissipation Pd	227W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Power Dissipation Pd 227W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG080N60E-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง