Vishay SIHP N-Channel MOSFET, 47 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB10,511.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,247.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB210.226THB10,511.30
100 +THB186.866THB9,343.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
279-9921
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHP054N65E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220AB

Series

SIHP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.058Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SIHP Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 47A Maximum Continuous Drain Current - SIHP054N65E-GE3


This MOSFET is a high-voltage N‑channel enhancement transistor designed for power switching in demanding electrical systems. It is supplied in a through‑hole TO‑220AB package and is intended for use where substantial drain current and elevated voltage tolerance are required. The component is RoHS‑compliant and operates across a wide ambient temperature range suitable for industrial environments.

Features and Benefits:


• 650V drain rating enables high-voltage switching applications
• 47A continuous drain current supports heavy‑load operation
• 312W power dissipation allows sustained high‑power handling
• 0.058Ω Rds(on) reduces conduction losses under load
• 108nC typical gate charge permits controlled switching dynamics
• Gate‑source withstand of 30V safeguards drive margin

Applications


• Suitable for industrial motor drive inverter stages
• Ideal for high‑voltage power supplies and converters
• Used for renewable energy inverter switching assemblies
• Can be used for UPS and battery‑backup power electronics
• Suitable for high‑current relay replacement circuits

What temperature extremes can it endure in operation?


It is specified to function from -55°C up to 150°C, allowing use in a broad range of thermal conditions.

How is the device mounted for thermal and mechanical stability?


The component is configured for through‑hole mounting in a TO‑220AB format to facilitate heatsinking and secure PCB attachment.

What is the expected switching behaviour with respect to gate drive?


With a typical gate charge of 108nC and a maximum Vgs of 30V, switching speed and required drive energy can be calculated to match driver capability.

How does on‑resistance influence efficiency in high‑current designs?


The maximum drain‑source resistance of 0.058Ω lowers I²R losses, improving efficiency when operating near the specified 47A continuous current limit.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง