Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3

RS Stock No.:: 268-8317
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP085N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB7,288.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,798.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB145.768	THB7,288.40
100 - 450	THB141.395	THB7,069.75
500 - 950	THB135.739	THB6,786.95
1000 +	THB128.952	THB6,447.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8317
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP085N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220AB
	Series	SIHP
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.084Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	184W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 34A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220AB
	Series SIHP
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 184W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP085N60EF-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHP Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 34A Maximum Continuous Drain Current - SIHP085N60EF-GE3

This MOSFET is a high‑voltage N‑channel transistor designed for power switching in industrial and electronic systems. It operates across a wide temperature range and is supplied in a through‑hole TO‑220AB package for straightforward mounting and thermal management. The device is suited to applications requiring controlled high‑voltage switching and substantial continuous current handling.

Features and Benefits:

• 650V rating enables high‑voltage switching applications • 34A continuous drain current supports heavy‑load operation • 0.084Ω on‑resistance reduces conduction losses • 184W power dissipation allows elevated power handling • 63nC typical gate charge permits predictable drive requirements • 150°C maximum junction temperature sustains high‑temperature operation

Applications

• Suitable for industrial motor drive switching stages • Ideal for switch‑mode power supply high‑voltage switches • Used for power conversion in automation control systems • Can be used for inverter front‑end switching modules • Suitable for laboratory test rigs requiring through‑hole mounting

What gate drive considerations should I account for?

With a typical gate charge of 63nC at Vgs, ensure the gate driver can source and sink sufficient current to achieve the required switching speed while controlling EMI.

How does the package influence thermal design?

The TO‑220AB through‑hole format enables easy attachment to a heatsink and a straightforward thermal path for managing up to 184W dissipation under proper heatsinking conditions.

What operating environment range does it tolerate?

The device functions from -55°C up to a maximum operating temperature of 150°C, permitting use in both cold‑start and elevated‑temperature installations.

How should I protect the device from overvoltage events?

Since the transistor has a maximum drain‑source voltage of 650V and a gate limit of 30V, include appropriate snubbers, clamp diodes or transient suppressors and ensure gate drive never exceeds the gate‑source limit.