Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 268-8313
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB345.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB369.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,996 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB172.74	THB345.48
50 - 98	THB155.395	THB310.79
100 - 248	THB127.295	THB254.59
250 +	THB124.85	THB249.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8313
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Series	SIHK
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.125Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	132W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	9.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Series SIHK
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.125Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 132W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 9.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 21A Maximum Continuous Drain Current - SIHK125N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for power conversion and control on printed circuit boards. It operates across a wide thermal range and is intended for applications requiring robust voltage handling and moderate current capacity in a PCB-mounted PowerPAK package.

Features and Benefits:

• 650V drain capability for high-voltage switching
• 21A continuous drain current for steady power delivery
• 0.125Ω low Rds(on) to reduce conduction losses
• 132W power dissipation for thermal headroom
• 45nC typical gate charge for predictable switching energy
• 30V gate-source rating for flexible gate drive levels

Applications

• Suitable for switch-mode power supplies in industrial equipment
• Ideal for high-voltage motor-drive front ends
• Used with isolated gate drivers in power converters
• Can be used for power-factor-correction stages
• Suitable for inverter circuits in renewable-energy systems

What package is provided for PCB assembly and thermal management?

The component is supplied in a PowerPAK 10x12 surface-mount package designed for PCB mounting to assist heat transfer to the board and facilitate solder-based thermal paths.

What thermal extremes can the device withstand in operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, enabling use in environments with substantial temperature variation.

How does the device behave as a gate-driven switch?

It is an enhancement-mode N-channel MOSFET that requires a positive gate-source voltage up to its 30V limit to conduct, and its typical gate charge of 45nC informs switching-energy calculations.

Are there any environmental or regulatory attributes noted?

The device complies with RoHS requirements for restricted substances, aligning with standard electronic component environmental directives.