Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 268-8313
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB345.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB369.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,996 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB172.74	THB345.48
50 - 98	THB155.395	THB310.79
100 - 248	THB127.295	THB254.59
250 +	THB124.85	THB249.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8313
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SIHK
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.125Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	132W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	9.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SIHK
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.125Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 132W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 9.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 21A Maximum Continuous Drain Current - SIHK125N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for power conversion and control on printed circuit boards. It suits demanding electrical and electronic systems where elevated drain-to-source voltage handling and substantial current capability are required. The device is supplied in a Compact PowerPAK 10x12 package for PCB mounting and is intended for applications that operate across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 650V drain-to-source rating enables high-voltage switching
• 21A continuous drain current supports heavy load duty
• 0.125Ω Rds(on) reduces conduction losses at operating current
• 45nC typical gate charge allows efficient gate-drive management
• 132W power dissipation permits substantial thermal loading

Applications

• Suitable for industrial motor drive inverter stages
• Ideal for high-voltage power supplies in automation systems
• Used for switch-mode power conversion in electrical equipment
• Can be used for medium-power traction and conversion modules

What voltage stress can it withstand in switching circuits?

It can handle up to 650V between drain and source, making it appropriate for high-voltage topologies.

How does gate-charge affect drive design?

A typical gate charge of 45nC informs gate-driver current and switching-loss calculations during transition events.

What thermal extremes can it operate within?

Operational limits span from -55°C at the low end to 150°C at the high end for junction temperatures.

How many pins and what mounting style does it use?

It is an 8-pin device intended for PCB mounting in a PowerPAK 10x12 footprint.

What is the maximum permissible gate voltage?

The gate may be driven up to 30V relative to source without exceeding its gate‑source rating.