Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 268-8316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK185N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB343.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB367.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB171.715	THB343.43
50 - 98	THB154.475	THB308.95
100 - 248	THB126.54	THB253.08
250 - 998	THB124.11	THB248.22
1000 +	THB97.15	THB194.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK185N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Series	SIHK
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.193Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	114W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	9.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Series SIHK
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.193Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 114W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 9.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHK185N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 16A Continuous Drain Current - SIHK185N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power switching on PCB assemblies. It operates across a wide temperature range and suits industrial control and power-conversion environments where robust voltage handling and thermal tolerance are required.

Features and Benefits:

• 650V drain voltage enables high-voltage switching applications • 16A continuous drain current supports substantial load currents • 0.193Ω low Rds(on) reduces conduction losses and heat generation • 114W power dissipation allows sustained power handling • 32nC typical gate charge supports moderately fast switching speeds • 30V maximum gate drive permits flexible gate-control designs

Applications

• Suitable for high-voltage power converters and inverters • Ideal for switch-mode power supplies in industrial systems • Used for motor drive switching in automation equipment • Can be used for lighting ballast and electronic transformer control

What thermal extremes can it tolerate in system design?

It is specified to operate down to -55°C and up to 150°C, allowing use in environments with wide ambient temperature variation.

What mounting considerations are needed on a PCB?

It is intended for PCB mounting in a PowerPAK 10x12 package with eight pins, so PCB layout should provide adequate thermal vias and copper area for heat spreading.

How should gate drive be limited to protect the device?

The gate must not exceed ±30V relative to the source, so gate-drive circuitry should include clamping or regulation to prevent overvoltage.

What charge characteristic affects gate-driver selection?

The typical gate charge is 32nC at the specified gate bias, informing the required drive current and switching losses for gate-driver sizing.