Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB343.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB367.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB171.715THB343.43
50 - 98THB154.475THB308.95
100 - 248THB126.54THB253.08
250 - 998THB124.11THB248.22
1000 +THB97.15THB194.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK185N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.193Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง