Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3
- RS Stock No.:
- 268-8307
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB259.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB277.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB259.30 |
| 50 - 99 | THB233.13 |
| 100 - 249 | THB190.96 |
| 250 + | THB187.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8307
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Series | SIHK | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.085Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 9.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Series SIHK | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.085Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 9.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - SIHK085N60EF-T1GE3
This MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor suitable for PCB mounting and is intended for demanding applications that require robust thermal tolerance and substantial current handling.
Features and Benefits:
• 650V rating enables high-voltage switching capability • 30A continuous drain current supports heavy load duty • 0.085Ω Rds(on) reduces conduction losses at switching • 63nC typical gate charge allows predictable gate-drive design • 184W power dissipation permits significant heat throughput • 150°C maximum junction temperature supports high-temperature operation
Applications
• Suitable for high-voltage DC-DC converters in automation systems • Ideal for motor drive front-ends requiring high current headroom • Used for switch-mode power supplies in industrial electronics • Can be used for inverter stages in power control equipment
What gate-drive constraints should be considered for use?
The device tolerates gate voltages up to 30V and exhibits a typical total gate charge of 63nC, so drivers must supply sufficient charge and slew control within that voltage limit.
How should thermal management be arranged on the PCB?
With a maximum dissipation of 184W and high junction capability, provide substantial copper area, thermal vias and an appropriate heatsink attachment pattern to maintain safe operating temperatures.
What environmental temperature range will it tolerate during operation?
It operates down to -55°C and up to a maximum of 150°C, allowing deployment across broad ambient and elevated junction scenarios.
Which mounting approach is required for reliable assembly?
The part is intended for PCB mount in a PowerPAK 10x12 package with an 8-pin interface, so standard soldering processes for power packages should be used.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60E-T1-GE3
