Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB259.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB277.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 49THB259.30
50 - 99THB233.13
100 - 249THB190.96
250 +THB187.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK085N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - SIHK085N60EF-T1GE3


This MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor suitable for PCB mounting and is intended for demanding applications that require robust thermal tolerance and substantial current handling.

Features and Benefits:


• 650V rating enables high-voltage switching capability • 30A continuous drain current supports heavy load duty • 0.085Ω Rds(on) reduces conduction losses at switching • 63nC typical gate charge allows predictable gate-drive design • 184W power dissipation permits significant heat throughput • 150°C maximum junction temperature supports high-temperature operation

Applications


• Suitable for high-voltage DC-DC converters in automation systems • Ideal for motor drive front-ends requiring high current headroom • Used for switch-mode power supplies in industrial electronics • Can be used for inverter stages in power control equipment

What gate-drive constraints should be considered for use?


The device tolerates gate voltages up to 30V and exhibits a typical total gate charge of 63nC, so drivers must supply sufficient charge and slew control within that voltage limit.

How should thermal management be arranged on the PCB?


With a maximum dissipation of 184W and high junction capability, provide substantial copper area, thermal vias and an appropriate heatsink attachment pattern to maintain safe operating temperatures.

What environmental temperature range will it tolerate during operation?


It operates down to -55°C and up to a maximum of 150°C, allowing deployment across broad ambient and elevated junction scenarios.

Which mounting approach is required for reliable assembly?


The part is intended for PCB mount in a PowerPAK 10x12 package with an 8-pin interface, so standard soldering processes for power packages should be used.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง