Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 268-8308
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB256,834.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB274,812.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 +	THB128.417	THB256,834.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8308
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SIHK
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.105Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	142W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	9.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SIHK
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 142W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 9.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 24A Continuous Drain Current - SIHK105N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor switch designed for power conversion and switching duties in industrial electronics. It operates across a wide temperature range and mounts to printed circuit boards in an 8‑pin package, delivering a balance of switching capability and thermal handling suitable for demanding electrical control environments.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching applications • 24A continuous drain current supports substantial load currents • 0.105Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation • 51nC gate charge allows controlled switching performance • 142W power dissipation assists in high-power handling on PCB • ±30V gate tolerance permits broad gate-drive margin

Applications

• Suitable for industrial motor-drive inverter stages • Ideal for high-voltage power supplies and converters • Used for DC-DC conversion in automation systems • Can be used for switch-mode power controllers in machinery • Suitable for power switching in electrical distribution units

What thermal extremes can this device tolerate during operation?

It is rated to function from -55°C up to a maximum of 150°C, allowing use in harsh thermal environments.

How many pins and what mounting style does it require on a board?

It is provided in an 8‑pin configuration intended for PCB mounting in a PowerPAK 10x12 footprint.

What kind of gate-drive constraints should be observed?

The device accepts up to 30V between gate and source, so gate-drive circuitry should remain within that limit to avoid damage.

How does the device meet environmental material restrictions?

It conforms to RoHS requirements, indicating restricted hazardous substance compliance.