Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -42 A, -55 V TO-263 AUIRF4905STRL
- RS Stock No.:
- 260-5059
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF4905STRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB231.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB248.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 205 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB231.81 |
| 25 - 49 | THB208.18 |
| 50 - 99 | THB204.01 |
| 100 - 249 | THB170.64 |
| 250 + | THB167.16 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5059
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF4905STRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 4.83mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 15.88mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 4.83mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V TO-263 AUIRF4905STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF4905STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9Z34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5305STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF5210STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9540NSTRLPBF