Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9Z34NSTRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB356.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB381.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 790 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB35.616THB356.16
20 - 40THB34.886THB348.86
50 - 90THB31.643THB316.43
100 - 240THB28.492THB284.92
250 +THB27.944THB279.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6744
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF9Z34NSTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-670

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง