Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF

RS Stock No.:: 165-5892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5210STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,736.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB28,940.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,966.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB36.176	THB28,940.80	-
1600 - 2400	THB35.091	THB28,072.80	THB1,736.00
3200 +	THB34.038	THB27,230.40	THB6,841.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5210STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง