Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
218-2971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF5210STRL
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

P-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง