Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB107,502.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB115,027.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB134.378THB107,502.40
1600 - 2400THB131.456THB105,164.80
3200 +THB128.535THB102,828.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-2971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF5210STRL
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

P-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง