Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF5210STRL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB1,171.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,253.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 100 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 195THB234.27THB1,171.35
200 - 395THB228.412THB1,142.06
400 +THB224.894THB1,124.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
218-2972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF5210STRL
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Height

4.83mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

P-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง