Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF4905STRLPBF

RS Stock No.:: 831-2819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF4905STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF4905STRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB554.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB592.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

195 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 14,635 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 195	THB110.822	THB554.11
200 - 395	THB108.052	THB540.26
400 +	THB106.388	THB531.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 831-2819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF4905STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-44-444

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-44-444

Infineon HEXFET Series MOSFET, 70A Maximum Continuous Drain Current, 170W Maximum Power Dissipation - IRF4905STRLPBF

This high current MOSFET is suitable for various applications within automation and electronics. With a maximum continuous drain current of 70A, it operates at drain-source voltages up to 55V. Its enhancement mode configuration meets performance requirements, while its low RDS(on) maximises energy efficiency. Designed for high power applications, this MOSFET offers thermal stability, making it appropriate for rigorous operating conditions.

Features & Benefits

• Improves system efficiency through low on-resistance values

• Functions effectively within a temperature range of -55°C to +150°C

• Supports fast switching speeds to enhance performance

• Features robust design for repetitive avalanche conditions

• Provided in a D2PAK TO-263 package for straightforward surface mounting

Applications

• Used in power management systems and converters

• Appropriate for motor control requiring high efficiency

• Integrated into switching power supplies for enhanced performance

• Applicable in automotive environments needing dependable control

• Employed in industrial automation requiring substantial power handling

What is the maximum temperature this device can operate at?

The device has a maximum operating temperature of +150°C, ensuring stability under varying environmental conditions.

How does the low RDS(on) benefit circuit design?

Low RDS(on) minimises conduction losses, enhancing overall circuit efficiency and enabling cooler operation.

Can this component handle pulsed currents?

Yes, it is capable of managing pulsed drain currents up to 280 A, making it suitable for dynamic applications.

What are the key parameters for selecting compatible driving voltages?

The gate-to-source voltage should remain within the range of -20 V to +20 V to guarantee effective operation without risk of damage.

Is it suitable for high-frequency switching applications?

The device is designed for fast switching, making it suitable for high-frequency operational functions in electronic circuits.