Vishay SiH N channel-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK075N60EF
- RS Stock No.:
- 735-159
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHK075N60EF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB372.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB398.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB372.79 |
| 10 - 49 | THB231.20 |
| 50 - 99 | THB178.72 |
| 100 + | THB120.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-159
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHK075N60EF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiH | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.061Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Forward Voltage Vf | 600V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 13mm | |
| Width | 10mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiH | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.061Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Forward Voltage Vf 600V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 13mm | ||
Width 10mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications
94A continuous drain current at TA=25°C
54.3nC typical total gate charge for fast switching
-55°C to +175°C extended junction temperature range
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK045N60EF
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK055N60E
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK055N60EF
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SiHH070N60EF
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SiHH068N60E
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SiHK045N60E