Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 80.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR186LDP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2897
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR186LDP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Series

TrenchFET

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

80.3 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK SO-8

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.0044 Ω

Mount Type

Surface

The Vishay TrenchFET N-channel is 60 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง