Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 208 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR608DP-T1-BE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB86.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB92.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB86.01
10 - 24THB56.08
25 - 99THB33.27
100 - 499THB32.31
500 +THB31.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
904-976
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR608DP-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

208A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

PowerPAK

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0012Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

ROHS

Width

5.15mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay power MOSFET designed to provide efficient switching and a high power density. With a robust performance profile, it features low on-resistance, ensuring optimal operation within DC/DC converter applications.

TrenchFET Gen IV design ensures excellent efficiency

45 V Drain-source breakdown voltage for reliable performance

Low on-state resistance rated at 0.00120 Ohm at 10V

Robust continuous drain current of 208 A at 25 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง