Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 330 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS4614EPW-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 904-978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB123.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB131.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB123.08 |
| 10 - 24 | THB79.84 |
| 25 - 99 | THB47.52 |
| 100 - 499 | THB46.10 |
| 500 + | THB45.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 330A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.000995Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 205W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Width | 5mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 330A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.000995Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 205W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Width 5mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay power MOSFET designed for high-efficiency operations, specifically tackling power losses associated with conduction in electronic applications. This component is characterised by its robust construction and durability under varying conditions.
TrenchFET Gen IV technology ensures excellent performance with minimal power loss
Rated for a drain-source voltage of 60 V, providing stability in high-voltage environments
Low on-state resistance maximises efficiency in power management applications
Designed with enhanced power dissipation capabilities for reduced thermal issues
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR186LDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SIRS4600EPW-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR668DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR880BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR580DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3