Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 16 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1

RS Stock No.:: 214-9058
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG16N10S461AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 16 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB620.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB663.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

8,660 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 1240	THB31.023	THB620.46
1260 - 2480	THB30.247	THB604.94
2500 +	THB29.781	THB595.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9058
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG16N10S461AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS-T2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	61mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	29W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5.15mm
	Width	5.9 mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS-T2
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 61mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 29W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5.15mm
	Width 5.9 mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG16N10S461AATMA1

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 16 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง