Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 16 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 214-9057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG16N10S461AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB87,560.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB93,690.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB17.512 | THB87,560.00 |
| 10000 - 15000 | THB16.987 | THB84,935.00 |
| 20000 + | THB16.478 | THB82,390.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG16N10S461AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 61mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5.9 mm | |
| Length | 5.15mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 61mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5.9 mm | ||
Length 5.15mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35ATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L07AATMA1
