Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin
- RS Stock No.:
- 214-9061
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB134,715.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB144,145.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB26.943 | THB134,715.00 |
| 10000 - 15000 | THB26.134 | THB130,670.00 |
| 20000 + | THB25.35 | THB126,750.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9061
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | |
| Length | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Height | 1mm | |
| Width | 5.9 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | ||
Length 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Height 1mm | ||
Width 5.9 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1