Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

RS Stock No.:: 214-9061
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L11AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB134,715.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144,145.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB26.943	THB134,715.00
10000 - 15000	THB26.134	THB130,670.00
20000 +	THB25.35	THB126,750.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9061
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L11AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS-T2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Maximum Power Dissipation Pd	65W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±16 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Width	5.9 mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS, MSL1, AEC Q101
	Length	5.15mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS-T2
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Maximum Power Dissipation Pd 65W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Width 5.9 mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS, MSL1, AEC Q101
	Length 5.15mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L11AATMA1

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง