Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L07AATMA1

RS Stock No.:: 220-7422
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N04S4L07AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L07AATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB483.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB517.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB48.344	THB483.44
1250 - 2490	THB47.135	THB471.35
2500 +	THB46.41	THB464.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7422
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N04S4L07AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	65W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5.15mm
	Height	1mm
	Width	5.9 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 65W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5.15mm
	Height 1mm
	Width 5.9 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N04S4L07AATMA1

The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.

Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L07AATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง