Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1

RS Stock No.:: 214-9060
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N04S4L08AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB574.275

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB614.475

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,995 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB38.285	THB574.28
1260 - 2490	THB37.328	THB559.92
2505 +	THB36.754	THB551.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9060
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N04S4L08AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Enhancement Mode
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	5.9 mm
	Length	5.15mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Enhancement Mode
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 5.9 mm
	Length 5.15mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N04S4L08AATMA1

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง