Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1
- RS Stock No.:
- 214-9060
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 214-9060
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Transistor Configuration | Enhancement Mode | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 5.9 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Transistor Configuration Enhancement Mode | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.15mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 5.9 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.
The product is AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG16N10S461AATMA1
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4
