Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1

RS Stock No.:: 218-3060
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S436AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB371.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB397.13

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB37.115	THB371.15
1250 - 2490	THB36.188	THB361.88
2500 +	THB35.631	THB356.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 218-3060
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S436AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	36mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.4nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	AEC Q101, RoHS
	Length	5.15mm
	Height	1mm
	Width	5.9 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals AEC Q101, RoHS
	Length 5.15mm
	Height 1mm
	Width 5.9 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N10S436AATMA1

The Infineon OptiMOS™-T2 series dual N- channel automotive MOSFET. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).

Dual N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง