Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
214-9059
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPG20N04S4L08AATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Transistor Configuration

Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.15mm

Height

1mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

5.9 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง