Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON

RS Stock No.:: 214-8966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB104N08NP3GXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB123,040.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB131,655.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB24.608	THB123,040.00
10000 - 15000	THB23.87	THB119,350.00
20000 +	THB23.154	THB115,770.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB104N08NP3GXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	MG-WDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.35 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5.05mm
	Height	0.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type MG-WDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.35 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5.05mm
	Height 0.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSB104N08NP3GXUSA1

The Infineon range of OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). These consists of range of energy efficient MOSFET transistors, in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces.

Low parasitic inductance

Optimized technology for DC/DC converters

Dual sided cooling

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง