Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 7-Pin TO-263

RS Stock No.:: 214-4363
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB017N10N5LFATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 7-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB142,006.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB151,946.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB142.006	THB142,006.00
2000 - 3000	THB137.745	THB137,745.00
4000 +	THB133.613	THB133,613.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4363
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB017N10N5LFATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	313W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	195nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.45mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.31mm
	Height	4.57mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 313W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.45mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.31mm
	Height 4.57mm
	Automotive Standard No

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 180A Maximum Continuous Drain Current - IPB017N10N5LFATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel switching transistor designed for demanding power applications. It operates across a wide temperature range and is supplied in a surface-mount TO-263 package for integration onto compact assemblies. The device is intended for use where efficient conduction and robust switching are required in 100V-class systems.

Features and Benefits:

• 1.7mΩ Rds(on) enabling low conduction losses and higher efficiency
• 180A continuous drain current supporting heavy load currents
• 100V drain-source rating for high-voltage switching applications
• 313W power dissipation allowing sustained thermal load handling
• 195nC typical gate charge facilitating controlled gate-drive dynamics
• 20V gate tolerance permitting flexible gate-drive voltages

Applications

• Suitable for DC-DC converters in industrial power supplies
• Ideal for high-current synchronous rectification stages
• Used with motor drives requiring robust switching elements
• Can be used for power distribution in telecom equipment
• Appropriate for server power modules and datacentre supplies

What temperature range can it tolerate in operation?

It functions from -55°C up to 150°C, covering extended industrial and embedded environments.

What package should designers account for when laying out PCBs?

It is supplied in a TO-263 surface-mount package requiring thermal land patterns for effective heat dissipation.

How many pins does the device provide for connection?

The component has seven pins to accommodate power and gate connections along with package anchors.

What type of channel does it use and how does that affect circuit design?

It is an N-channel device, which is typical for low-side switching and synchronous rectifier configurations.