Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S2L13ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB415.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB444.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 12,390 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 620THB41.52THB415.20
630 - 1240THB40.481THB404.81
1250 +THB39.86THB398.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-4377
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD50N06S2L13ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง